描述
半導體界一直在不斷地努力挑戰摩爾定律的極限,但隨著技術的發展,這種成長逐漸變得更具挑戰性,因此一些新技術和方法被使用來應對這個問題。其中,環繞式閘極 (gate-all-around,GAA)製程被視為半導體製造中的新一代重要技術演進。
本 Matrixy 活的專利地圖專案彙整了半導體製造產業與GAA製程相關的專利,呈現專利主要申請人以及專利申請國家、申請年份的專利地圖資料,並分析相關專利的熱點關鍵字,讓您深入了解GAA技術的發展趨勢。
![專利地圖-環繞式閘極場效電晶體](https://i0.wp.com/www.originpatent.com/wp-content/uploads/2023/11/2-1-1.jpg?resize=860%2C470&ssl=1)
專利地圖-環繞式閘極場效電晶體
![主要申請人的專利內容篩選與標定](https://i0.wp.com/www.originpatent.com/wp-content/uploads/2023/11/2-2-1.jpg?resize=917%2C898&ssl=1)
主要申請人的專利內容篩選與標定
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